NCE6020A
Pb Free Product
NCE6020A
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE6020A uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
Schematic diagram
● VDS =60V,ID =20A
RDS(ON) <25mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) <31mΩ @ VGS=4.5V
● High density cell d...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 1000 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-220-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 28
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | WMK80N06T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | IRFZ24NPBF (JSMICRO) IRFZ24NPBF (INFIN) | — | в линейках 100 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | YJP65N06A (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | IRLZ34NPBF-VB (VBSEMI) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | WMK25N06TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJQ18SN06 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJU40SN06 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJR20N06A (YJ) | TO251 | в линейках 4950 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TSM220NB06LCR RLG (TSC) | PDFN568 | в ленте 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TQM250NB06CV RGG (TSC) | PDFN338 | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TSM280NB06LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TSM300NB06CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TQM300NB06CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WMO35N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | 35N06 (YOUTAI) | TO252 | — | — | |||||||||||||
A+ | AOD442 (YOUTAI) | TO-252-3 | — | — | |||||||||||||
A+ | STD35NF06L (YOUTAI) | — | 1 шт | — | ± | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAE35SN06 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | TSM220NB06CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | FQD20N06 (YOUTAI) | — | в ленте 5 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJAB25SN06 (JSCJ) | — | 100 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG30N06A (YJ) | — | 10 шт | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | NCE6020AK (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTK290N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | STD30NF06L (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ30N06TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAE28SN06 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | TQM300NB06CV RGG (TSC) | PDFN338 | 5000 шт | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE6020A
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 05.09.2022
Размер: 688.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.