NCE6020A
Pb Free Product
NCE6020A
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE6020A uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
Schematic diagram
● VDS =60V,ID =20A
RDS(ON) <25mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) <31mΩ @ VGS=4.5V
● High density cell d...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 1000 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-220-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 21
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJR20N06A (YJ) | TO251 | в линейках 4950 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJQ18SN06 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | WMQ30N06TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | JMTG170N06A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0612AUQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0612AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0609AU-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMTQ35N06A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJU40SN06 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | AOD442 (YOUTAI) | TO-252-3 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | 35N06 (YOUTAI) | TO252 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMO35N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | STD35NF06L (YOUTAI) | — | 1 шт |  |  |  | — |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJAE35SN06 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAE28SN06 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | FQD20N06 (YOUTAI) | — | в ленте 5 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJAB25SN06 (JSCJ) | — | 100 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG30N06A (YJ) | — | 10 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | NCE6020AK (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMTK290N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | STD30NF06L (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE6020A
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 05.09.2022
Размер: 688.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.