NCE60P82A
NCE60P82A
http://www.ncepower.com
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE60P82A uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This
device is well suited for high current load applications.
General Features
● VDS =-60V,ID =-82A
RDS(ON) <13mΩ @ VGS=-10V
Schematic diagram
RDS(ON) <16mΩ @ VGS=-4.5V
● High density cel...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-220-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE60P82A
Microsoft Word - NCE60P82A data sheet.doc
Дата модификации: 05.06.2019
Размер: 312 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.