YJG40N03A

RoHS YJG40N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30V 40A <7.5mohm <11.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN568
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ YJD80N03B (YJ)
 
TO252 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ YJQ50N03A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ WMQ55N04T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
A+ WMB52N03T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMQ050N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
A+ WMQ040N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 1 шт
 
A+ YJQ60N03A (YJ)
 
DFN30308 5000 шт
 
A+ YJQ50N03B (YJ)
 
 
A+ YJG50N03B (YJ)
 
 
A+ YJG50N03A (YJ)
 
PDFN8L5X6
 
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ YJD50N03A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ YJD80N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ WMK75N03T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMB70N04T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB042DN03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB040N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ40N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO80N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO75N04T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMQ80N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJG40N03A 

Дата модификации: 06.01.2022

Размер: 602.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.