WMB52N03T2
WMB52N03T2
30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB52N03T2 uses advanced power trench technology that has
D
D
D
D
D
D
D
D
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
s
ss
G
ss
G
Features
PDFN5060-8L
VDS = 30V, ID = 52A
RDS(on) < 6.3mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 9mΩ @ VGS = 4.5V
Green Device...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| A+ | WMK75N03T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG50N03B (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJD80N03B (YJ) | TO252 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | ||
| A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| A+ | YJD50N03A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | IRF1404 (YOUTAI) IRF1404 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB70N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMO80N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO75N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | YJQ50N03B (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB52N03T2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 24.03.2022
Размер: 1013.2 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.