Вход / Регистрация

YJF15G15A

SUNCO
RoHS YJF15G15A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 150V 15A ＜70mΩ ＜80mΩ General Description ●Split gate trench MOSFET technology ●Low RDS(on) & FOM ●Excellent stability and uniformity ●Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ●Halogen Free Applicatio...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус ITO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK28N15T2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ JMSH1535AG (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMO20N15T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ JMSH1552AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ WMO20N15T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMO690N15HG2 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — —
A+ TSM650N15CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ WMO18N20T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMO15N15T1 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — —
A+ CS18N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ CS18N20A4R-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт — — —
A+ IRF640N (EVVO)
 

IRF640N (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ NCE1540AF (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE0224 (NCE)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ WMB690N15HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO28N15T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJF15G15A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 150V 15A ＜70mΩ ＜80mΩ General Description ●Split gate trench MOSFET technology ●Low RDS(on) & FOM ●Excellent stability and uniformity ●Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ●Halogen Free Applications ● Power management ● Portable equipment ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Units Drain-source Voltage VDS 150 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 4 TA=25℃ 2.5 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 15 TC =100℃ 9.5 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 40 A EAS 4.4 mJ 2.5 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 41 TC =100℃ 16 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 40 50 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 2.5 3 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJF15G15A B1 YJF15G15A 50 / 5000 Tube 1/8 S-E298 Rev.1.1,01-Mar-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJF15G15A 

Дата модификации: 24.05.2023

Размер: 697.1 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    10 августа 2023
    новость

    Новая серия SGT MOSFET N150V – специальное решение для PoE от SUNCO

    Протокол Power over Ethernet (PoE), позволяющий сетевым устройствам с интерфейсом Ethernet передавать питание по витой паре, существует уже много лет. В 2018 году был утвержден новый стандарт IEEE 802.3bt, который использует все четыре пары... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)