YJD30N02A

SUNCO
RoHS YJD30N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested ● 100% EAS Tested 20V 30A ＜8mohm ＜9mohm ＜14mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moist...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMQ30N02T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ JMTQ90N02A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMTK2006A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ CJU55N02 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ WMO60N02T1 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — — —
A+ YJQ47N02A (YJ)
 
— 80 шт
 
 — —
A+ YJD60N02A (YJ)
 
TO252 20 шт —
A+ NCE2060K (NCE)
 
TO252
 
 ± — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJD30N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested ● 100% EAS Tested 20V 30A ＜8mohm ＜9mohm ＜14mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● High current load applications ● Load switch ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 30 TC=25℃ Drain Current A ID 19 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 125 A 25 W 10 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche EnergyB EAS 64 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 5 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD30N02A F1/F2 YJD30N02A 2500 / 25000 13“ reel 1/7 S-E007 Rev.3.1,19-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD30N02A 

Microsoft Word - YJD30N02A Rev 3.1

Дата модификации: 22.03.2022

Размер: 466.9 Кб

7 стр.

RoHS COMPLIANT YJD30N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 20V 30A ＜7.0 mohm ＜9.0 mohm ＜14 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 30 TC=25℃ Drain Current ID A TC=100℃ 21 Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 125 A 30 W 15 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 100 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 5 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+175 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD30N02A F2 YJD30N02A 2500 / 25000 13“ reel 1/6 S-B1229 Rev.2.0,15-Mar-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD30N02A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 25.03.2019

Размер: 590 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)