WMO60N02T1
WMO60N02T1
20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
D
Description
WMO60N02T1 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
D
Features
⚫
S
G
TO-252
VDS= 20V, ID = 60A
RDS(on) < 6.0mΩ @ VGS = 4.5V
RDS(on) < 8.8mΩ @ VGS = 2.5V
⚫
High Density Cell Design
⚫
Low RDS(on)
⚫...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO252 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | JMTQ90N02A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMTK2006A (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WMO90N02T1 (WAYON) | TO252 |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | NCE2060K (NCE) | TO252 |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMO60N02T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 15.07.2022
Размер: 425.6 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.