JMTK2006A
JMTK2006A
Description
JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Features
Applications
20V, 60A
RDS(ON) < 6.2mΩ @ VGS = 4.5V
RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS = 2.5V
Load Switch
PWM Application
Power Management
Advanced Trench Technology
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
100% UIS TESTED!
100% ΔVds TESTED!
Lead Free
D
G
S
TO-252-3L(DPAK) Top View
Schematic Diagram
Ma...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMO60N02T1 (WAYON) | TO252 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | JMTQ90N02A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMO90N02T1 (WAYON) | TO252 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | NCE2060K (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.