JMTK2006A

JMTK2006A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  Applications 20V, 60A RDS(ON) < 6.2mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS = 2.5V     Load Switch PWM Application  Power Management  Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Lead Free D G S TO-252-3L(DPAK) Top View Schematic Diagram Ma...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO60N02T1 (WAYON)
 
TO252
 
A+ JMTQ90N02A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ WMO90N02T1 (WAYON)
 
TO252
 
A+ NCE2060K (NCE)
 
TO252
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.