YJD130G04HHQ

SUNCOYJ
RoHS YJD130G04HHQ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 130A ＜2.5mΩ General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Part no. with suffix “Q” mean...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ JMSL0402BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ NCEP40T14G (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP40T13GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ JMTE025N04D (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ YJG130G04A (YJ)
 
—
 
 Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ JMSL0401BG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
—
 
 — — — — —
A+ NCEP40T15A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 40 шт
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD130G04HHQ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 130A ＜2.5mΩ General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Applications ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ● 12V Automotive systems ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 130 TC=25℃ 92 TC =100℃ ID Drain Current A TA=25℃ 29 TA =100℃ 21 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 390 A EAS 790 mJ 125 TC=25℃ 62 TC =100℃ Total Power Dissipation C PD W TA=25℃ 3.7 TA =100℃ 1.8 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+175 ℃ 1/8 S-B3152 Rev.1.0,26-Aug-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD130G04HHQ 

Microsoft Word - YJD130G04HHQ

Дата модификации: 26.08.2023

Размер: 278.1 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 декабря 2023
    новость

    SUNCOYJ анонсировал производство новых N-канальных MOSFET N40V для автомобильных приводов

    Современный автомобиль обладает множеством электроприводов, обеспечивающих безопасную и комфортную эксплуатацию. Усилитель рулевого управления, насосы тормозной системы, а также подвески и охлаждения, стеклоподъемники, корректоры фар, управление... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)