WSRSIC010120NPO

Document: W16010061 Rev: A WSRSIC010120NPO SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE Features  10A Silicon Carbide Schottky Diode  Excellent high temperature stability  Low forward voltage  High forward surge capability  150℃ Operating Junction Temperature  Reduced temperature dependence Mechanical Data  Case: TO-252-2L Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃ Unless otherwise specified) ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO-252-3 DPAK
  • Норма упаковки: 2500  шт. (в ленте)

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= YJD112010DG1 (YJ)
 
 
P= G5S12010C (GPT)
 
TO252 в ленте 100 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.