WSRSIC010120NPO
Document: W16010061 Rev: A
WSRSIC010120NPO
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
Features
10A Silicon Carbide Schottky Diode
Excellent high temperature stability
Low forward voltage
High forward surge capability
150℃ Operating Junction Temperature
Reduced temperature dependence
Mechanical Data
Case: TO-252-2L
Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃
Unless otherwise specified)
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: TO-252-3 DPAK
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | YJD112010DG1 (YJ) | — | |||
P= | G5S12010C (GPT) | TO252 | в ленте 100 шт |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WSRSIC010120NPO
WS05MF through WS24MF Keywords:
Дата модификации: 17.05.2023
Размер: 426 Кб
4 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.