GS5D

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 5 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 33 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS520 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS820 (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- HS5D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- ES5D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- GS8D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS1020 (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 —
A- GS8DQ (YJ)
 
DO214AB
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GS5A THRU GS5M COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Solder dip 260 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: DOMolding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code GS5A GS5B GS5D GS5G GS5J GS5K GS5M GS5A GS5B GS5D GS5G GS5J GS5K GS5M 50 100 200 400 600 800 1000 GS5K GS5M VRRM V IO A 5.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 120 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Typical junction capacitance Cj pF TEST CONDITIONS GS5A GS5B GS5D GS5G IFM =5.0A 1.1 Ta=25℃ 5 Ta=100℃ 50 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 35 GS5J ■Thermal Characteristics （Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Thermal Resistance Junction to ambient SYMBOL UNIT GS5A GS5B GS5D GS5G GS5J GS5K GS5M 471) RθJ -A ℃/W Junction to lead 131) RθJ -L 1/4 S-S057 Rev. 2.3, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GS5A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 29.08.2018

Размер: 417.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)