GS8DQ

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 8 А, с падением напряжения 1.1 В, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS820 (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- GS8D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS1020 (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GS8AQ THRU GS8MQ COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Solder dip 260 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solder able per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code GS8AQ GS8BQ GS8DQ GS8GQ GS8JQ GS8KQ GS8MQ GS8A GS8B GS8D GS8G GS8J GS8K GS8M Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 IO A 8.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 200 Storage Temperature TSTG ℃ -55 ~+150 Junction Temperature TJ ℃ -55 ~+150 Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Typical junction capacitance CJ pF TEST CONDITIONS GS8AQ GS8BQ GS8DQ GS8GQ GS8JQ GS8KQ GS8MQ IFM=8.0A 1.1 Ta=25℃ 10 Ta=125℃ 250 1MHz,VR=4V. 70 60 1/4 S-S2218 Rev.1.2,24-Aug-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GS8AQ 

Microsoft Word - GS8AQ THRU GS8MQ

Дата модификации: 24.08.2020

Размер: 218.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)