GS8D

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 8 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 55 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS820 (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS1020 (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 —
A- GS8DQ (YJ)
 
DO214AB
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GS8A THRU GS8M COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Solder dip 260 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: DOMolding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code GS8A GS8B GS8D GS8G GS8J GS8K GS8M GS8A GS8B GS8D GS8G GS8J GS8K GS8M 50 100 200 400 600 800 1000 VRRM V IO A 8.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 200 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER GS8A GS8B GS8D GS8G SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM =8.0A 1.1 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode Ta=25℃ 10 IR μA Ta=100℃ 50 Typical junction capacitance Cj Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 60 pF GS8J GS8K GS8M ■Thermal Characteristics （Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Thermal Resistance Junction to ambient SYMBOL UNIT GS8A GS8B GS8D GS8G GS8J GS8K GS8M 451) RθJ -A ℃/W Junction to lead 121) RθJ -L 1/4 S-S379 Rev. 2.3, 30-Apr-15 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GS8A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 29.08.2018

Размер: 427.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)