GS3D

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 25 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS520 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- ES3D (YJ)
 

ES3D (DIODES) 		DO214AB в ленте 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
A- MURS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
A- SS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- ES3D SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 —
A- SS320Q (YJ)
 
DO214AB
 
 —
A- HS3D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
A- HS5D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- ES5D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- GS5D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GS3A THRU GS3M COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Solder dip 260 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT GS3A GS3B GS3D GS3G GS3J GS3K GS3M GS3A GS3B GS3D GS3G GS3J GS3K GS3M 50 100 200 400 600 800 1000 GS3K GS3M Device marking code VRRM V IO A 3.0 IFSM A 100 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER GS3A GS3B GS3D GS3G SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=3.0A 1.1 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode Ta=25℃ 5 IR μA Ta=125℃ 100 Typical junction capacitance Cj Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 25 pF GS3J ■Thermal Characteristics （Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Thermal Resistance Junction to ambient SYMBOL UNIT GS3A RθJ-A GS3B GS3D GS3G GS3J GS3K GS3M 481) ℃/W Junction to lead RθJ-L 131) Note(1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.6" x 0.6" (16 mm x 16 mm) copper pad areas 1/4 S-S056 Rev. 2.4, 20-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GS3A 

Microsoft Word - GS3A THRU GS3M

Дата модификации: 21.12.2019

Размер: 207.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)