ES3D SMCG

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 3 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 80 пФ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= EFMC304 (LRC)
 
DO-214AB SMC
 
 — — — —
P= MURS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= ES3D (YJ)
 

ES3D (ONS-FAIR) 		DO214AB в ленте 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
P= ES3DCG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
 — — — — — —
P= SM3200C (LRC)
 
DO-214AB SMC
 
 — — — — —
P= ES3D-C (ANBON)
 
DO214AB
 
 — — — — — — — — — — —
A- SS320Q (YJ)
 
DO214AB
 
 —
A- SS520 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- HS5D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- ER3D (DC)
 
DO214AB в ленте 500 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- ES5D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SMCG Plastic-Encapsulate Diodes ES3A THRU ES3J Super Fast Recovery Rectifier Diodes Features ● IF(AV) 3A ● VRRM 50V-600V SMCG ● High surge current capability ● Polarity: Color band denotes cathode Applications ● Rectifier Marking ● ES3X X : From A To J Limiting Values(Absolute Maximum Rating) Item Symbol Unit ES3 Test Conditions A B C D E Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 150 200 300 Maximum RMS Voltage V RMS V 35 70 Maximum DC Blocking Voltage V DC V 50 100 150 200 300 Average Forward Current IF(AV) A 60Hz Half-sine wave， Resistance load，T L =100℃ 3.0 Surge(Non-repetitive)Forward Current IFSM A 60Hz Half-sine wave， 1 cycle，Ta=25℃ 100 Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG ℃ G H J 400 500 600 105 140 210 280 350 420 400 500 600 -55 ~ +150 Electrical Characteristics (T=25℃ Unless otherwise specified） Symbol Unit Peak Forward Voltage VF V Maximum reverse recovery time trr ns Item Peak Reverse Current Typical junction capacitance Thermal Resistance(Typical) IRRM1 IRRM2 CJ RθJ-A RθJ-L μA pF ℃/ W Test Condition IF =3.0A B C 0.95 IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A VRM=VRRM A ES3 D E G 1.25 H J 1.7 35 Ta =25℃ 10 Ta =100℃ 500 Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 80 Between junction and ambient 47 Between junction and terminal 12 Notes: Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.27" x 0.27" (7.0 mm x 7.0 mm) copper pad areas www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на ES3J SMCG 

Дата модификации: 09.09.2023

Размер: 1.56 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)