SJ010M1800B5S-1320

Конденсатор алюминиевый 10 В x 1800 мкФ ±20%, Radial, -40...105 °C, 5000 ч
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Ёмкость номинальная
Допуск по ёмкости
Напряжение номинальное
Температура рабочая
Срок службы
Диаметр корпуса
Высота корпуса
Способ монтажа
Шаг между выводами
Эквивалентное последовательное сопротивление
Ток пульсаций низких частот
Применение
Диаметр x Высота 13×13×20 мм
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Ёмкость Допуск Напряжение Температура рабочая Срок службы Диаметр Высота Способ монтажа Шаг ESR Импеданс Ток пульсаций НЧ Ток пульсаций ВЧ Применение Примечание Карточка
товара
A+ EEUFR1A182 (PAN)
 
200 шт
A+ JRC1A182M05001000250000B (JB)
 
A+ JRC1C182M05001000250000B (JB)
 
200 шт
A+ PC016M182G20PKKKS00R (SUSCON)
 
100 шт
A+ EEUFC1A182 (PAN)
 
100 шт
A+ EEUFC1A182S (PAN)
 
100 шт
A+ EEUFC1A182SB (PAN)
 
250 шт
A+ EEUFC1C182 (PAN)
 
100 шт
A+ EEUFC1C182S (PAN)
 
50 шт
A+ EEUFS1A182 (PAN)
 
200 шт THT Lytic, Higher Capacitance, Smaller size
A+ EEUFS1A182L (PAN)
 
200 шт THT Lytic, Higher Capacitance, Smaller size
A+ EEUFS1A182LB (PAN)
 
 
Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1800uF, Through Hole Mount
A+ EEUFS1C182 (PAN)
 
200 шт THT Lytic, Higher Capacitance, Smaller size
A+ EEUFS1C182B (PAN)
 
в ленте 500 шт THT Lytic, Higher Capacitance, Smaller size
A+ EEUFR1A182B (PAN)
 
500 шт
A+ EEUFK1A182 (PAN)
 
200 шт
A+ EEUFK1A182L (PAN)
 
200 шт
A+ EEUFR1C182L (PAN)
 
200 шт
A+ EEUFR1C182LB (PAN)
 
500 шт
A+ ERZ1AM182G20OT (AISHI)
 

Файлы 2

показать свернуть
Yageo corporation ELECTROLYTIC CAPACITORS Miniature Aluminum Electrolytic Capacitors S J [ Low Impedance and High Ripple Series ] 105°C 1000 ~ 5000 Hours, Low Impedance and High Ripple Current Electrical Characteristics Operating Temperature Range : -40 ~ +105°C Rated Voltage Range : 6.3 ~ 100V Rated Capacitance Range : 5.6 ~ 6800µF Capacitance Tolerance : -20 ~ +20% at 120KHz description DC Leakage Current (µA) : I = 0.01 CV (µA) or 3µA whichever is greater. AV (TV, Video, Audio), Monitor / Computer, OA / HA / Communication, Converter / Inverter, Adapter, SMPS Dissipation Factor W V (V) : 6.3 D.F. (%) : 22 MULTIPLIER FOR RIPPLE CURRENT Frequency Coefficient FREQUENCY (Hz) 50 5.6~390µF 0.60 0.70 0.85 0.95 1.00 120 1K 10K 100K 470~1000µF 0.65 0.75 0.90 0.98 1.00 1200~6800µF 0.75 0.80 0.95 1.00 1.00 ENDURANCE CASE LIFE TIME (HOURS) L=7 1000 L ≥ 11 Dø ≤ 6.3 2000 Dø = 8 3000 Dø = 10 4000 Dø ≥ 13 5000 10 19 16 16 W V (V) : Impedance : Z - 25°C / Z + 20°C Z - 40°C / Z + 20°C 25 14 35 12 6.3 2 3 10 2 3 50 10 16 2 3 63 9 25 2 3 100 8 35 2 3 50 2 3 Shelf Life: After having been placed at 105°C without voltage applied for 1000 hours. (500 hours for L=7) The capacitors shall meet the same requirements as Endurance. Dimensions: mm Rubber Stand-off Vinyl Sleeve (P.V.C) Rubber End Seal Rubber End Seal 15Min. 5Min. F±0.5 F±0.5 L D±0.5 100 2 3 Endurance: After the rated voltage and maximum ripple current have been applied at 105°C for 1000 ~ 5000 hours, the capacitors shall meet the following requirements. (a) Capacitance Change: Within±25% of the Initial Value (b) Dissipation Factor: Not Exceeding 200% of the Specified Value (c) Leakage Current: Not Exceeding the Specified Value diagram of dimensions Vinyl Sleeve (P.V.C) 63 2 3 L L ≤ 16 L + 1.5Max. L > 16 L + 2Max. Dø = 8 & 10 L + 2.5Max. 15Min. 5Min. D±0.5 Dø < 20 Dø + 0.5 Dø ≥ 20 Dø + 1 Dø F dø 4.0 1.5 0.45 5.0 2.0 0.5 6.3 2.5 8.0 3.5 10.0 5.0 0.6 13.0 16.0 18.0 7.5 0.8 PDF
Документация на серию SJ 

Дата модификации: 22.12.2010

Размер: 208 Кб

5 стр.

    Публикации 6

    показать свернуть
    20 августа 2024
    новость

    Транзисторы SJ MOSFET от SUNCO – решение для напряжений до 600 В

    Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком,... ...читать

    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    05 июня 2024
    новость

    Продукция JIEJIE для устройств быстрой зарядки

    Зарядные устройства (ЗУ) выходной мощностью 18…100 Вт (а также 120 Вт и выше) с одним или несколькими выходами USB Type–A и Type–C, имеющие поддержку протоколов быстрой зарядки (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083–2022,... ...читать

    17 мая 2024
    новость

    Компоненты JIEJIE для приводов бесколлекторных электродвигателей

    Бесщеточный двигатель постоянного тока (BLDC) преодолевает неискоренимый недостаток коллекторного двигателя постоянного тока – трение щеток. Вместо них используется вращающееся магнитное поле, создаваемое обмотками статора, чьи фазы поочередно... ...читать

    23 ноября 2023
    новость

    Новые SJ и SGT MOSFET SUNCO для построения эффективных инверторов

    Возобновляемые источники электроэнергии и устройства ее хранения в условиях постоянного растущего энергопотребления играют очень важную роль. Для использования энергии, генерируемой солнечными панелями, применяется инвертор – устройство,... ...читать

    03 мая 2023
    новость

    Компоненты JSCJ для устройств быстрой зарядки – простая схемотехника и соответствие стандартам по ЭМС

    Соответствуя требованиям стремительно развивающегося рынка зарядных устройств и постоянно совершенствую свои технологии, компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) предлагает новые решения: выпрямляющие диоды, стабилитроны,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.