WMP11N70SR

WML11N70SR, WMK11N7 W 70SR, WM MM11N70S SR WMN11N70SR, WMP11N7 70SR, WM MO11N70S SR 700V 0.5Ω Su uper Jun nction P Power MOSFET Descrip ption WMOSTM SR is Wa ayon’s new w generation super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS SR is G D S G D S TO-22 20F suitable fo or ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO251
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML15N70C4 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMJ80R350S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WML80R480S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ CRJD360N70G2 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ WMJ90R500S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ90R360S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ90R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WML80R350S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в коробках 1000 шт
 
A+ WMJ15N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт
A+ WMO80R480S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO15N70C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO14N70C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO12N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ WMO11N80M3 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO10N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ WML90R500S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML90R360S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML90R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ YJB17C80HJ (YJ)
 
12 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WML11N70SR, WMK11N7 W 70SR, WM MM11N70S SR WMN11N70SR, WMP11N7 70SR, WM MO11N70S SR 700V 0.5Ω Su uper Jun nction P Power MOSFET Descrip ption WMOSTM SR is Wa ayon’s new w generation super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS SR is G D S G D S TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D Features D S S G G TO-26 63 VDS =7 750V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.5Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency.  D G D G S TO O-251 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) WMK K/WMM/WMO O/WMP/WMN Gate-source e voltage static 700 V ID 9 A 5.4 A IDM M 19 A VGS G ±20 V ±30 V AC( f>1Hz) Avalanche energy, e single e pulse3) Unit VDSSS ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) WML EAS A 55 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.15 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 1.2 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 63 28 W 0.51 0.23 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 9 A IS,puulse 19 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMK K/WMM/WMO O/WMP/WMN WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 2 4.5 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.1, 2022 Doc.W08 870055 1 / 13 PDF
Документация на серию WMx11N70SR 

Microsoft Word - WMx11N70SR W0870055 V2.1

Дата модификации: 10.03.2022

Размер: 664.5 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.