YJB17C80HJ

SUNCOYJ
RoHS YJB17C80HJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 800V 17A ＜290mΩ General Description ●Super Junction High Voltage MOSFET technology ● Low Power Loss by High Speed Switching and Low On-Resistance ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ HPP800R300PD-G (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB17C80HJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 800V 17A ＜290mΩ General Description ●Super Junction High Voltage MOSFET technology ● Low Power Loss by High Speed Switching and Low On-Resistance ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Flyback power supply stages ● Adapter ● Lighting ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 800 V Gate-source Voltage VGS ±30 V 2 TA=25℃ TA =100℃ 1.3 Drain Current ID A TC=25℃ 17 Tc=100℃ 10 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 50 A EAS 225 mJ 2.7 TA =25℃ 1 TA =100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 200 Tc=100℃ 80 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Symbol Typ Max Steady-State RθJA 35 45 Steady-State RθJC 0.5 0.62 Units ℃/W Thermal Resistance Junction-to-Case ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJB17C80HJ F2 YJB17C80HJ 800 / 8000 13“ reel 1/7 S-E332 Rev.1.0,05-May-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB17C80HJ 

Дата модификации: 05.05.2023

Размер: 734.7 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 ноября 2023
    новость

    Новые SJ и SGT MOSFET SUNCOYJ для построения эффективных инверторов

    Возобновляемые источники электроэнергии и устройства ее хранения в условиях постоянного растущего энергопотребления играют очень важную роль. Для использования энергии, генерируемой солнечными панелями, применяется инвертор – устройство,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)