CRJD360N70G2

CR Micro
CRJD360N70G2 华润微电子(重庆)有限公司 SJMOS N-MOSFET 700V, 0.33Ω, 11A Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 700V • Better efficiency due to very low FOM RDS(on)_typ 0.33Ω ID 11A Applications 100% DVDS Tested • LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% Avalanche Tested • Solar/Renewable/UPS-Micro Inv...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB17C80HJ (YJ)
 
— 12 шт
 
 — — —
A+ HPP800R300PD-G (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRJD360N70G2 华润微电子(重庆)有限公司 SJMOS N-MOSFET 700V, 0.33Ω, 11A Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 700V • Better efficiency due to very low FOM RDS(on)_typ 0.33Ω ID 11A Applications 100% DVDS Tested • LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% Avalanche Tested • Solar/Renewable/UPS-Micro Inverter System • Charger • Power Supply Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing Reel Size Tape Width Qty CRJD360N70G2 J360N70G2 TO-252 Tape&Reel N/A N/A 2500pcs Symbol Value Unit VDS 700 V ID 11 A Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C TC = 100°C 7 Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) ID pulse 44 A Avalanche energy, single pulse (L=30mH, Rg=50Ω) EAS 90 mJ dv/dt 50 V/ns Gate-Source voltage VGS ±30 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 127 W IS 11 A (TC = 25°C) IS pulse 44 A 3) dv/dt 50 V/ns Tj , T stg -55...+150 °C MOSFET dv/dt ruggedness Continuous diode forward current(TC = 25°C) Diode pulse current 2) Recovery diode dv/dt Operating junction and storage temperature 1) Limited by Tj,max. Maximum Duty Cycle D = 0.50 2) Pulse width tp limited by Tj,max 3) Identical low side and high side switch with identical RG Rev1.1 ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRJD360N70G2 

CRJD360N70G2 Datasheet 20220509_V1.1x Keywords:

Дата модификации: 13.12.2022

Размер: 459.7 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)