WMO90N02T1

WMO90N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO90N02T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features ⚫ S G TO-252 VDS= 20V, ID = 90A RDS(on) < 4.5mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) < 5mΩ @ VGS = 2.5V ⚫ Low RDS(on) ⚫ Advanced High Cell Density Trenc...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.