WMO90N02T1
WMO90N02T1
20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMO90N02T1 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior switching performance.
D
Features
⚫
S
G
TO-252
VDS= 20V, ID = 90A
RDS(on) < 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
RDS(on) < 5mΩ @ VGS = 2.5V
⚫
Low RDS(on)
⚫
Advanced High Cell Density Trenc...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMO90N02T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 16.06.2022
Размер: 459.5 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.