WMO55N03T1
WMO55N03T1
30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
D
Description
WMO55N03T1 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
D
maintain superior switching performance.
G
TO-252
Features
⚫
S
VDS= 30V, ID=55A
RDS(on) < 8.5mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 12.5mΩ @ VGS = 4.5V
⚫
Green Device Available
⚫
Low Gate Charge
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJD50N03A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | IRF1404 (YOUTAI) IRF1404 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB70N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO80N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | 100N03A (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| ± | — | — | — | |||||||||
A+ | WMO70N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO60N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMK80N04T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK75N03T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK70N03T1 (WAYON) | TO-220-3 | в коробках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | WMO75N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJU100N03S (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMO55N03T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 03.10.2022
Размер: 453.4 Кб
6 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.