NCE0130KA

NCE0130KA http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0130KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =30A Schematic diagram RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=10V (Typ:25mΩ) RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=4.5V (Typ:28mΩ) ● Special...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD45G10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ WML099N10HGS (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML080N10HG2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WMQ099N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
A+ WMB175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMP119N10LG2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ YJQ40G10A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJG60G10B (YJ)
 
 
A+ YJG40G10A (YJ)
 
10 шт
 
A+ YJD45G10AQ (YJ)
 
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт
A+ NCE0130GA (NCE)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
±
A+ NCEP11N10AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ JMTC170N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ IRFR4510TR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IRF3710 (YOUTAI)
 

IRF3710 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK175N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK175N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB175N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML125N12LG2 (WAYON)
 
TO220F
 

Файлы 1

показать свернуть
NCE0130KA http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0130KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =30A Schematic diagram RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=10V (Typ:25mΩ) RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=4.5V (Typ:28mΩ) ● Special process technology for high ESD capability ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation Application Marking and pin assignment ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-252 -2Ltop view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE0130KA NCE0130KA TO-252-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 30 A ID (100℃) 21 A IDM 120 A PD 85 W 0.57 W/℃ EAS 200 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 1.8 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current (Note 1) Maximum Power Dissipation Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v4.0 PDF
Документация на NCE0130KA 

Microsoft Word - NCE0130KA data sheet1.doc

Дата модификации: 30.03.2021

Размер: 408.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.