WMK020N06HG4
WMK020N06HG4
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMK020N06HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
GD
Features
S
TO-220
VDS = 60V, ID = 258A
RDS(on) < ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: —
Аналоги 4
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | WMK028N10HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | ||
P= | WMLL029NV8HGS (WAYON) | — | в ленте 3000 шт | ||
P= | IRFB4110 (EVVO) IRFB4110 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ||
P- | JMSH0804NC-U (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMK020N06HG4
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 03.07.2023
Размер: 596.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.