IRFP4110

IRFP4110 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description: D This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and D design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. G Features: S S D G 1) VDS=100V,ID=180A,RDS(ON)<4.5mΩ@VGS=10V 2) Low gate charge. 3) Green device available. 4) Advanced high cell denity trench technology ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMJ028N10HGS (WAYON)
 
TO-247-3 30 шт
 
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP01T18VD (NCE)
 
 
±
A+ NCEP01T18D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ JMSH1004AEQ-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1003NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1003AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH1002AS-U (JIEJIE)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
A+ YJN280G10H (YJ)
 
TO-247-3
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN)
TO-247-3 в линейках 450 шт
 
A+ JMSH1003NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
в ленте 10 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.