WMJ80N60EM

WAYON
WM MJ80N60EM 600V 0.035Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon’s W 3rd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T and low ga ate charge performancce. WMOSTM EM is suitable fo or applicattions which h require superior G power density and outstanding efficiency. D S TO O-247 F...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMJ80N60C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт — — — — —
A+ WMJ80N65C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ CRJQ30N60G2BF (CRMICRO)
 
TO-247-3
 
 — — —
A+ WMJ99N60F2 (WAYON)
 
TO-247-3 1 шт — — — — —
A+ WMJ80N60F2 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ TSM60NB041PW C1G (TSC)
 
TO-247-3 25 шт
 
 — —
A+ WMJ99N60C4 (WAYON)
 
TO-247-3 — — — — —
A+ WMJ90N60F2 (WAYON)
 
TO-247-3 5 шт — — — — —
A+ WMJ80N65F2 (WAYON)
 
TO-247-3 — — — — —
A+ YJD206520NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ WMJ90N65SR (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт — — — — —
A+ WMJ90N65F2 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 100 шт — — — — —
A+ WMJ90N65C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт — — — — —
A+ WMJ90N60C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 100 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WM MJ80N60EM 600V 0.035Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon’s W 3rd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T and low ga ate charge performancce. WMOSTM EM is suitable fo or applicattions which h require superior G power density and outstanding efficiency. D S TO O-247 Features  VDS =6 650V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.03 35Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol WMJ J80N60EM Unit VDSSS 600 V ID 80 A 48 A IDM M 295 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 1100 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 1.4 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 7 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD 430 W 3.44 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 80 A IS,puulse 295 A Symbol WMJ J80N60EM Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.32 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 °C/W Drain-sourcce voltage Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current Thermal Character C ristics Parametter Rev.2.0, 20 019 Doc.W08 860063 1/7 PDF
Документация на WMJ80N60EM 

Microsoft Word - WMx80N60EM W0860063 V2.0

Дата модификации: 07.07.2022

Размер: 543.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)