WMJ80N65F2

WAYON
WM MJ80N65F F2 650V 0.037Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM F2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fam mily with fa ast body diiode. F2 series pro ovide all benefits b off a fast switching s SJ-MOSFE ET while offfering an extremely e fa ast body diode. WM MOSTM F2 makes especially e r resonant G switching applications a s more reliable. D S TO O-247 F...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMJ80N65C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMJ90N65C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт — — — — —
A+ YJD206520NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ WMJ90N65SR (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт — — — — —
A+ WMJ90N65F2 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 100 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WM MJ80N65F F2 650V 0.037Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM F2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fam mily with fa ast body diiode. F2 series pro ovide all benefits b off a fast switching s SJ-MOSFE ET while offfering an extremely e fa ast body diode. WM MOSTM F2 makes especially e r resonant G switching applications a s more reliable. D S TO O-247 Features  VDS =7 700V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.03 37Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol WMJ80N65F2 Unit VDSSS 650 V ID 80 A 45 A IDM M 245 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 850 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 1.2 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 6 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD 410 W 3.28 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 80 A IS,puulse 245 A Symbol WMJ80N65F2 Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.3 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 °C/W Drain-sourcce voltage Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current Thermal Character C ristics Parametter Rev.3.1, 20 020 Doc.W08 865070 1/7 PDF
Документация на WMJ80N65F2 

Microsoft Word - WMJ80N65F2 W0865070 V3.0

Дата модификации: 15.09.2022

Размер: 544.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)