WMJ90N65SR

WAYON
WM MJ90N65S SR 650V 0.028Ω Super S Ju unction P Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM SR is Wa ayon’s new w generation super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T and low ga ate charge performancce. WMOSTM SR is suitable fo or applicattions which h require superior G power density and outstanding efficiency. D S TO ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMJ60N60EM (WAYON)
 
TO-247-3 30 шт — — — — —
P= WMJ90N65C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт — — — — —
P= WMJ90N65F2 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 100 шт — — — — —
A+ YJD206520NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WM MJ90N65S SR 650V 0.028Ω Super S Ju unction P Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM SR is Wa ayon’s new w generation super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T and low ga ate charge performancce. WMOSTM SR is suitable fo or applicattions which h require superior G power density and outstanding efficiency. D S TO O-247 Features  VDS =7 700V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.02 28Ω  Fast body b diode  Pb-free plating, Halogen H free e R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol WMJ J90N65SR Unit VDSSS 650 V ID 99 A 60 A IDM M 350 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 1100 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 1.4 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 7 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD 460 W 3.68 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 99 A IS,puulse 350 A Symbol WMJ J90N65SR Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.27 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 °C/W Drain-sourcce voltage Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current Thermal Character C ristics Parametter Rev.2.0, 20 021 Doc.W08 865098 1/7 PDF
Документация на WMJ90N65SR 

Microsoft Word - WMJ90N65SR W0865098 V2.0

Дата модификации: 17.03.2022

Размер: 531.5 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 февраля 2023
    новость

    MOSFET азиатских производителей

    Полевой транзистор или MOSFET – неотъемлемый компонент в любом электронном устройстве. Существует огромное количество полевых транзисторов в различных конфигурациях, предназначенных для самых разнообразных задач. При этом с известной степенью... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)