WMJ36N65F2

WML36N65F2, WM MK36N65F F2 WMN3 36N65F2, WMM36N N65F2, WM MJ36N65F F2 650V 0.087Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM F2 is Wa ayon’s 2nd generation super junction MOSFET M fam mily with fa ast body diiode. F2 series pro ovide all benefits b off a fast switching s G D S G S D G SJ-MOSFE ET while offfering an extremely e fa ast body TO-22 20F diode. WM MOSTM F2 makes e...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD206550NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ WMK53N65F2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK36N65C4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMJ53N65F2 (WAYON)
 
TO-247-3 10 шт
A+ ATSCM45G65W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ YJD206550NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ ATSCM30G65W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ASZM060065P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ NCE65NF068T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ WMJ53N65C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт
A+ WMM53N65C4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMM36N65C4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WML36N65C4 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMK36N65F2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WML36N65F2, WM MK36N65F F2 WMN3 36N65F2, WMM36N N65F2, WM MJ36N65F F2 650V 0.087Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM F2 is Wa ayon’s 2nd generation super junction MOSFET M fam mily with fa ast body diiode. F2 series pro ovide all benefits b off a fast switching s G D S G S D G SJ-MOSFE ET while offfering an extremely e fa ast body TO-22 20F diode. WM MOSTM F2 makes especially e r resonant TO O-262 D S TO-220 T D switching applications a s more reliable. Features S G G TO-26 63  VDS =7 700V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.08 87Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit VDSSS 650 V ID 36 A 20 A IDM M 100 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 550 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.8 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 4 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 277 34 W 2.22 0.27 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 36 A IS,puulse 100 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.45 3.6 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.4.1, 2020 Doc.W08 865072 1 / 12 PDF
Документация на WMK36N65F2 

Microsoft Word - WMx36N65F2 W0865072 V4.1

Дата модификации: 13.06.2022

Размер: 670.5 Кб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.