YJD206550NCTGH

SUNCOYJ
RoHS YJD206550NCTGH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 650V ID（25°C） 60A RDS(on) 50mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2473
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= ASZM060065P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ ATSCM30G65W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ ASZM025065P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ YJD206550NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ YJD206520NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD206550NCTGH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 650V ID（25°C） 60A RDS(on) 50mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS compliant Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO-247AB ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT VALUE Device marking code TEST CONDITIONS NOTE D206550NCTGH Drain source voltage @ Tj=25°C VDS,max V 650 VGS=0 V, ID=100uA Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,max V -10/+25 Absolute maximum values (AC f > 1Hz, duty cycle < 1%) Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,op V -5/+20 Recommended operational values 60 VGS=20V, Tc=25℃ ID A 41 VGS=20V, Tc=110℃ ID, pulse A 127 Limited by tpw Avalanche energy, Single Pulse EAS mJ 1600 VDD=100V, ID=14A Power Dissipation PTOT W 250 Tc=25°C , Tj = 175℃ Tj ,Tstg °C -55 to +175 Soldering temperature TL °C 260 1.6mm (0.063’’) from case for 10s Mounting torque TM Nm 0.6 M3 screw Maximum of mounting process: 3 Continuous drain current @ Tc=25°C Continuous drain current @ Tc=110°C Pulse Drain Current Operating junction and Storage temperature range Note1 Fig.14 Fig.15 Fig.13 1/9 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD206550NCTGH 

YJD206550NCTGH Keywords:

Дата модификации: 15.03.2024

Размер: 1009.7 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)