NCE65NF068T

NCE
NCE65NF068T N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅳ General Description The series of devices use advanced trench gate super VDS min@Tjmax 710 V junction technology and design to provide excellent RDS(ON) RDS(ON)TYP 60 mΩ with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 45 A industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 60 nC power conversion, and industrial p...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMJ53N60C4 (WAYON)
 
TO-247-3 330 шт — — — — —
P- WMJ36N65C4 (WAYON)
 
TO-247-3 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE65NF068T N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅳ General Description The series of devices use advanced trench gate super VDS min@Tjmax 710 V junction technology and design to provide excellent RDS(ON) RDS(ON)TYP 60 mΩ with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 45 A industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 60 nC power conversion, and industrial power applications. Features ●Optimized body diode reverse recovery performance ●Low on-resistance and low conduction losses ●Small package ●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements ●100% Avalanche Tested ●ROHS compliant Application Schematic diagram ● Power factor correction（PFC） ● Switched mode power supplies(SMPS) ● Uninterruptible Power Supply（UPS） ● LLC Half-bridge  Intrinsic fast-recovery body diode Package Marking And Ordering Information Device Device Package Marking NCE65NF068T TO-247 NCE65NF068T TO-247 Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25℃) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS=0V） VDS 650 V Gate-Source Voltage (VDS=0V) AC (f>1 Hz) VGS ±30 V Continuous Drain Current at Tc=25°C ID (DC) 45 A Continuous Drain Current at Tc=100°C ID (DC) 31.5 A IDM (pluse) 135 A PD 371 W 2.47 W/°C EAS 144 mJ IAR 6 A EAR 0.9 mJ Drain Source voltage slope, VDS ≤480 V, dv/dt 50 V/ns Reverse diode dv/dt，VDS ≤480 V,ISD<ID dv/dt 50 V/ns TJ,TSTG -55...+175 °C Pulsed drain current (Note 1) Maximum Power Dissipation(Tc=25°C) Derate above 25°C Single pulse avalanche energy Avalanche current (Note 2) (Note 1) Repetitive Avalanche energy ，tAR limited by Tjmax (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range * limited by maximum junction temperature Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com preview PDF
Документация на NCE65NF068T 

Subject:

Дата модификации: 13.04.2023

Размер: 809.3 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)