WMB125N12LG2

WAYON
WMB125N12LG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB125N12LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device D DD G G ss is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Features...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM115N15HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ JMSH1507AGN-13 (JIEJIE)
 
DFN-8 VDFN8 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMK115N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ NCEP1580GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP1580D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP1570GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP065N12AGU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ JMSH1509AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMB115N15HGD (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ JMSH1507AC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1507AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMGG070V12D (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ CJAC90SN12 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC70SN15 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ WML071N15HG2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
 — — —
A+ YJG75G15H (YJ)
 
—
 
 — — —
A+ NCEP1580 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — —
A+ JMSH1509AC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB125N12LG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB125N12LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device D DD G G ss is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Features ⚫ VDS = 120V, ID = 61A(Silicon Limited) RDS(on) < 12.5mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 17mΩ @ VGS = 4.5V ⚫ Green Device Available ⚫ 100% EAS Guaranteed ⚫ Optimized for High Speed Smooth Switching RoHS D compliant Applications G ⚫ Power Management Switches ⚫ DC/DC Converters ⚫ Synchronous Rectification in SMPS S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source voltage VDS 120 V Gate-Source voltage VGS ±20 V 61 TC=25℃ Continuous Drain Current1(Silicon Limited) ID TC=100℃ Continuous Drain Current1(Package Limited) Pulsed Drain Current2 IDM 250 A EAS 156.8 mJ IAS 28 A PD 92 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Avalanche Current Total Power Dissipation4 TC=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range A 60 TC=25℃ Single Pulse Avalanche Energy3 38 Thermal Characteristics Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA 49.6 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case1 RθJC 1.3 °C/W Parameter Rev.2.0, 2019 Doc:W0803232 1 / 6 s PDF
Документация на WMB125N12LG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 04.07.2022

Размер: 517.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)