NCEP065N12AGU

NCEP065N12AGU NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous r...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM071N15HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMK071N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 500 шт
 
A+ NCEP15T14D (NCE)
 
TO263 5 шт
 
±
A+ NCEP15T14 (NCE)
 
TO-220-3 10 шт
 
±
A+ NCEP12T12D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP050N12D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ JMSH1507AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ CJAC90SN12 (JSCJ)
 
 
±
A+ WMM161N15T2 (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
A+ WML071N15HG2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
A+ WMB072N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ NCEP15T14T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ WMK161N15T2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ NCEP15T14LL (NCE)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP065N12AGU NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and General Features ● VDS =120V,ID =100A RDS(ON)=5.6mΩ , typical @ VGS=10V RDS(ON)=6.9mΩ , typical @ VGS=4.5V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150°C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P065N12AGU NCEP065N12AGU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 120 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 100 A ID (100℃) 70 A Pulsed Drain Current IDM 400 A Maximum Power Dissipation PD 130 W 1.04 W/℃ EAS 400 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V2.0 PDF
Документация на NCEP065N12AGU 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 25.11.2022

Размер: 1006.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.