BAT54S

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, последовательно на напряжение до 30 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 240 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LBAS40-04LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 500 шт
 
P= BAV99 (ANBON)
 

BAV99 (DIODES)
SOT-23-3
 
P= BAT54S (YOUTAI)
 

BAT54S (DIODES)
в ленте 3000 шт
 
P= LBAT54SLT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, TO-236AB
P= BAT54S (JSCJ)
 

BAT54S (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BAT54S [SOT23] (YJ)
 
в ленте 3000 шт
 
P= BAT54S SOT-23 (HOTTECH)
 
в ленте 3000 шт
 
P= BAT54S (YJ)
 

BAT54S (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54CWTQ (YJ)
 
SOT-323-3 Small Signal Schottky Rectifier
P= BAT54SW (JSCJ)
 

BAT54SW (DIODES)
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
P= BAT54S (HOTTECH)
 

BAT54S (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BAT54SW (SHIKUES)
 

BAT54SW (DIODES)
SOT-323-3
 
P= BAR43S (JSCJ)
 

BAR43S (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= LBAT54HT1G (LRC)
 
SOD323 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54S (SHIKUES)
 

BAT54S (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 200 шт
 
P= BAT54S (ANBON)
 

BAT54S (DIODES)
SOT-23-3
 
P= LBAT54SWT1G (LRC)
 
SOT-323-3 в ленте 1205 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54SQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Schottky Rectifier
P= BAT54SDW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 3000 шт
P= BAT54ST (JSCJ)
 

BAT54ST (DIODES)
SOT-523 в ленте 3000 шт
 
P- BAS40-04 (ANBON)
 
SOT-23-3 1 шт
 
P- BAT64-04 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- BAT54SW (DC)
 

BAT54SW (DIODES)
SOT-323-3 в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [SOT-323-3]
P- BAS40W-04 (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
P- 1SS372 (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
P- BAT54SW (ANBON)
 

BAT54SW (DIODES)
SOT-323-3
P- BAT54SWT (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
F~ BAT54S (DC)
 

BAT54S (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
F~ BAT54S RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
BAT54 / A / C / S 200m Watts Surface Mount Schottky Barrier Diode SOT-23 0.020(0.51) 0.015(0.37) Features    0.055(1.40) 0.047(1.19) Low turn-on voltage Fast switching PN junction guard ring for transient and ESD protection 0.080(2.05) 0.070(1.78) 0.024(0.61) 0.018(0.45) Mechanical Data     0.098(2.50) 0.083(2.10) 0.041(1.05) 0.047(0.89) 0.120(3.05) 0.104(2.65) Case: SOT-23, Molded plastic Terminals: Solderable per MIIL-STD-202, Method 208 Marking & Polarity: See diagram Weight: 0.008 gram (approx.) 0.043(1.10) 0.035(0.89) 0.006(0.15) 0.001(0.013) 0.024(0.61) 0.018(0.45) 0.007(0.178) 0.003(0.076) Dimensions in inches and (millimeters) BAT54 Marking: LV3 BAT54A Marking: B6 BAT54C Marking: L43 BAT54S Marking: L44 o Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise specified Type Number Symbol Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage Forward Continuous Current VRRM VRWM VR Repetitive Peak Forward Current IFM IFSM Pd RθJA TJ, TSTG Forward Surge Current IF @ t=1.0s Power Dissipation (Note 1) Thermal Resistance Junction to Ambient Air Operating and Storage Temperature Range Electrical Characteristics Type Number Reverse Breakdown Voltage (Note 1) Reverse Leakage Current (Note 1) VR=25V Forward Voltage (Note1) IF=0.1mA IF=1.0mA IF= 10mA IF = 30mA IF=100mA Junction Capacitance VR=0, f=1.0MHz Symbol Min V(BR)R IR 30 VF Cj trr Value Units 30 V 200 300 600 200 500 -65 to + 125 mA mA mA mW o C/W o C Typ - - -- - -- - Max - 2.0 240 320 400 500 1000 10 5.0 Reverse Recovery Time (Note 2) Notes: 1. Short Duration Pulse Test used to Minimize Self-Heating Effect. 2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=10mA through IR=10mA to IR=1.0mA, RL=100Ω. Units V uA mV pF nS Version: A06 PDF
Документация на BAT54C 

Дата модификации: 26.10.2007

Размер: 139.1 Кб

2 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    26 июня 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики

    Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в... ...читать

    19 мая 2023
    новость

    Продукция JSCJ для автономных источников питания

    При отключении электроэнергии или в местах отсутствия сетей электроснабжения обеспечить питанием различное оборудование, освещение и зарядить мобильные устройства возможно от автономных источников питания с инвертером. Схематичное устройство... ...читать

    23 марта 2023
    статья

    Диоды и диодные мосты SUNCO – рациональный выбор для любых приложений

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO занимается полным циклом производства полупроводников. Ее продукция отличается широким разнообразием и при этом соответствует мировым стандартам. Выпрямительные и сигнальные диоды,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.