BA159GA0G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.2 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-204AC DO-15
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- FR207 (KLS)
 
— в ленте 3000 шт — —
A- BA159GR0 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- 1N4007G-KR0G (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL

Файлы 1

показать свернуть
BA157G – BA159G Taiwan Semiconductor 1A, 400V - 1000V Fast Recovery Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified available Glass passivated chip junction High current capability, Low VF High reliability High surge current capability Low power loss, high efficiency RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 400 - 1000 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C Package DO-204AL (DO-41) Configuration Single die APPLICATIONS ● DC to DC converter ● Switching mode converters and inverters ● General purpose MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-204AL (DO-41) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Pure tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.330g (approximately) DO-204AL (DO-41) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device BA157G BA158G BA159G BA157G BA158G BA159G UNIT Repetitive peak reverse voltage VRRM 400 600 1000 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 280 420 700 V Forward current Surge peak forward current, 8.3ms single half sine wave superimposed on rated load Junction temperature IF 1 A IFSM 30 A TJ -55 to +150 °C Storage temperature TSTG -55 to +150 °C 1 Version: I2106 PDF
Документация на BA159GA0G 

Дата модификации: 16.06.2021

Размер: 521 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)