Вход / Регистрация

1N4007G-KR0G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
4 1N4001G-K - 1N4007G-K Taiwan Semiconductor 1A, 50V - 1000V Glass Passivated Rectifier FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● Glass passivated chip junction High current capability, Low VF High reliability High surge current capability Low power loss, high efficiency Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 1 A VRRM 50 - 1000 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C Package DO-204AL (DO-41) Configuration Single Die APPLICATIONS ● ● ● ● Switching mode power supply (SMPS) Adapters TV Monitor MECHANICAL DATA ● Case: DO-204AL (DO-41) ● Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating ● Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) ● Terminal: Pure tin plated leads, solderable per J-STD-002 ● Meet JESD 201 class 1A whisker test ● Polarity: As marked ● Weight: 0.33 g (approximately) DO-204AL (DO-41) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage, total rms value Maximum DC blocking voltage Forward current Surge peak forward current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode Junction temperature Storage temperature SYMBOL 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 G-K G-K G-K G-K G-K G-K G-K UNIT 1N4001G 1N4002G 1N4003G 1N4004G 1N4005G 1N4006G 1N4007G VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V IF(AV) 1 A IFSM 30 A TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C 1 Version:A1612 PDF
Документация на 1N4001G-KR0G 

Дата модификации: 05.01.2017

Размер: 534.1 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)