Вход / Регистрация

1N4007G-KA0G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-204AC DO-15
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- 2A07GR0G (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC

Файлы 1

показать свернуть
1N4001G-K – 1N4007G-K Taiwan Semiconductor 1A, 50V - 1000V Standard Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated chip junction High current capability, Low VF High reliability High surge current capability Low power loss, high efficiency RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 50 - 1000 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C Package DO-204AL (DO-41) Configuration Single die ● DC to DC converter ● Switching mode converters and inverters ● General purpose MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-204AL (DO-41) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Pure tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 1A whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.330g (approximately) DO-204AL (DO-41) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage, total rms value 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N SYMBOL 4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G UNIT -K -K -K -K -K -K -K 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N 4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V Forward current Surge peak forward current, 8.3ms single half sine wave superimposed on rated load Junction temperature IF 1 A IFSM 30 A TJ -55 to +150 °C Storage temperature TSTG -55 to +150 °C 1 Version: B2104 PDF
Документация на 1N4006G-KA0G 

Дата модификации: 27.04.2021

Размер: 374.4 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)