NCEP3065QU

Pb Free Product NCEP3065QU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench I Power MOSFET Description The NCEP3065QU uses Super Trench I technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-freque...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
A+ NCEP3090GU (NCE)
 
в ленте 30 шт
 
±
A+ CRTM025N03L (CRMICRO)
 
PDFN8L5X6 8000 шт
 
A+ NCEP40T13GU (NCE)
 
 
±
A+ NCEP4065QU (NCE)
 
DFN83X3
 
±
A+ NCEP30T13GU (NCE)
 
 
±
A+ NCEP30T12G (NCE)
 
 
±
A+ JMTG3002B (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
 
A+ CJAC110N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ WMB31430DN (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ CRTM030N04L (CRMICRO)
 
10 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCEP3065QU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench I Power MOSFET Description The NCEP3065QU uses Super Trench I technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. RDS(ON)=1.9mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=3.0mΩ (typical) @ VGS=4.5V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● 150 °C operating temperature ● DC/DC Converter for ● VDS =30V,ID =65A ● Very low on-resistance RDS(on) Application ● Ideal General Features high-frequency switching and synchronous ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! rectification DFN 3.3X3.3 Bottom View Top View Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP3065QU NCEP3065QU DFN3.3X3.3-8L Ø180mm - 5000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 65 A ID (100℃) 45.5 A Pulsed Drain Current IDM 260 A Maximum Power Dissipation PD 55 W 0.44 W/℃ EAS 500 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V6.0 PDF
Документация на NCEP3065QU 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 04.07.2022

Размер: 848.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.