NCEP30T13GU

NCEP30T13GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP30T13GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and s...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0401AG (JIEJIE)
 
 
A+ JMSL0303AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0303AG (JIEJIE)
 
 
A+ JMSL0302AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 в ленте 5000 шт
 
A+ JMSL0302AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0302AG (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6
 
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC150N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ WMB31430DN (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ JMTG3002B (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP30T13GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP30T13GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application for ● VDS =30V,ID =130A RDS(ON)=1.7mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=2.7mΩ (typical) @ VGS=4.5V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● DC/DC Converter ● Ideal General Features high-frequency switching and synchronous ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P30T13GU NCEP30T13GU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 130 A ID (100℃) 100 A Pulsed Drain Current (Package Limited) IDM 300 A Maximum Power Dissipation PD 80 W 0.64 W/℃ EAS 400 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 1.56 ℃/W Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP30T13GU 

Microsoft Word - NCEP30T13GU data sheet-SY.doc

Дата модификации: 23.07.2021

Размер: 374.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.