NCE3035G
Pb Free Product
NCE3035G
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE3035G uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =30V,ID =35A
RDS(ON) < 7.0mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 12mΩ @ VGS=4.5V
Schematic diagram
● High density ce...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | WMQ040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 1 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB50N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB35SN03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB35N03S (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB35N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | AOD484 (YOUTAI) | TO-252-3 | — | — | |||||||||||||
A+ | WMQ55N04T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMQ050N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJQ60N03A (YJ) | DFN30308 | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WMB52N03T2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJQ50N03B (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | YJQ35N04A (YJ) | — | 20 шт | — | |||||||||||||
A+ | YJG60G04HHQ (YJ) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | WMB70N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ40N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE3035G
Microsoft Word - NCE3035G.doc
Дата модификации: 25.05.2017
Размер: 331.6 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.