LBC857BTT1G

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC857BV (JSCJ)
 
SOT-563
 
A+ A1015 200-400 (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ LBSS5350SY3T1G (LRC)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ L2SA1576ART1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA1774RT1G (LRC)
 
 
A+ L2SA812RLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA812SLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L9015RLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP
A+ LBC807-40LT1G (LRC)
 
1 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
A+ LBC807-40WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ LBC856BLT1G (LRC)
 
в ленте 3000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
A+ LBC857BLT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
A+ LBC857CLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
A+ LBC857CWT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.