LBC857CLT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
LBC857CLT1G
Series
S-LBC857CLT1G
Series
PNP Silicon
• Moisture Sensitivity Level: 1
• ESD Rating – Human Body Model: >4000 V
ESD Rating – Machine Model: >400 V
• We declare that the material of product compliance with
3
RoHS requirements.
• S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change R...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: LBC857
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьТип проводимости и конфигурация | ||
---|---|---|
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току | ||
Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | LBC857CWT1G (LRC) | SOT-323-3 | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.