LBC856AWT1G
- Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | — | |
|---|---|---|
| Тип проводимости и конфигурация |  | |
| Напряжение КЭ максимальное |  | |
| Напряжение падения КЭ в открытом состоянии |  | |
| Ток коллектора |  | |
| Граничная рабочая частота |  | |
| Коэффициент усиления по току |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | MMSTA92 (JSCJ) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — |  | |||
| A+ | BC856S (JSCJ) | SOT-323-6 SOT363 | 3000 шт |  | — |  |  |  |  | — |  | — | — | — | ||
| A+ | LMBTA55LT1G (LRC) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB | |||
| A+ | LMBTA56LT1G (LRC) | SOT-23-3 | в ленте 145 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
Файлы
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.