L8550QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L8550PLT1G Series FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device SOT– 23 Shipping Marking L8550PLT1G 85P 3000/Tape&Reel L8550PLT3G 85P 10000/Tape&Reel L8550QLT1G 1YD 3000/Tape&Reel L8550QLT3G 1YD 10000/Tape&a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 1-Element, PNP
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
 
A+ LBSS5250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
A+ LBTP660Z4TZHG (LRC)
 
 
A+ LH8550QLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ L8550HQLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
A+ L8550HRLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
A+ L8550PLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 1-Element, PNP

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.