PZTA44

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors PZTA44 SOT-223 TRA NSISTOR (NPN) FEATURES z Low current : 300mA(max) z High voltage: VCEO=400V 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitte...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ MMBTA44 50-200 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBTA44 SOT-23 50-200 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2SC4548 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MPSA44 (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт — — — — —
A+ PZTA44 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ A44 B100-200 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ A44 (JSCJ)
 
— 150 шт
 
 — — — — —
A+ FMMT458 (SHIKUES)
 

FMMT458 (DIODES) 		SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBTA44 (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
A+ LMBTA44LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
A+ MMBTA44G-AE3-R (UTC)
 
—
 
 — — — —
A+ MPSA44G-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ MPSA44G-T92-A-B (UTC)
 
TO-92-3 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors PZTA44 SOT-223 TRA NSISTOR (NPN) FEATURES z Low current : 300mA(max) z High voltage: VCEO=400V 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage IC MARKING: 6 V Collector Current -Continuous 200 mA ICM Collector Current -Pulsed 300 mA PC Collector Power Dissipation 1 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~150 ℃ ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Symbol Test conditions = V(BR)CBO IC=100μA,IE 0 V(BR)CEO IC=1mA,IB 0 Collector-emitter breakdown voltage = Emitter-base breakdown voltage = V(BR)EBO IE=100μA,IC 0 Collector cut-off current = VCB=400V,IE 0 ICBO Emitter cut-off current Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage VCE=10V,I =C 1mA Typ Max Unit 400 V 400 V 6 V = VEB=4V,IC 0 IEBO hFE(1) DC current gain Min 0.1 μA 0.1 μA 40 h= VCE=10V,IC 10mA FE(2) 50 hFE(3) VCE=10V,I =C 50mA 45 hFE(4) VCE=10V,I =C 100mA 40 200 = VCE(sat) IC=1mA,IB 0.1mA 0.4 V = VCE(sat) IC=10mA,IB 1mA 0.5 V = VCE(sat) IC=50mA,IB 5mA 0.75 V IC=10mA,IB= 1mA 0.75 V VBE(sat) VCE = =10V,IC= 10mA,f 100MHz 20 MHz Transition frequency fT Collector ca pacitance = VCB=20V,IE 0,f 1MHz CC= 7 pF Emitter capacitance Ce = = VEB=0.5V,IC 0,f 1MHz 130 pF www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на PZTA44 

Microsoft Word - PZTA44 _SOT-223_.doc

Дата модификации: 12.05.2020

Размер: 688.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)