MMBTA44

Shikues
MMBTA44 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBTA44 TRANSISTOR (NPN) SOT̢23 FEATURES z High Collector-Emitter Voltage z Complement to MMBTA94 1. BASE MARKING: 3D 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ ℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Col...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBTA44 (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — —
P= MMBTA44 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ MPSA44 (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт — — — — —
A+ A44 B100-200 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ FMMT458 (SHIKUES)
 

FMMT458 (DIODES) 		SOT-23-3
 
 — — — —
A+ LMBTA44LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
MMBTA44 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBTA44 TRANSISTOR (NPN) SOT̢23 FEATURES z High Collector-Emitter Voltage z Complement to MMBTA94 1. BASE MARKING: 3D 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ ℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current-Continuous 200 mA IC0 Collector Current -Pulsed 300 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 357 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55̚+150 ℃ RΘJA ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter V IE=10μA, IC 0 V(BR)EBO= 6 V ICBO = VCB=400V, IE 0 = VEB=4V, IC 0 IEBO Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Unit 400 Emitter-base breakdown voltage DC current gain Max IC=1mA, IB 0 V(BR)CEO*= Collector-emitter breakdown voltage Collector cut-off current Typ V V(BR)CBO IC=100μA, IE=0 Min 00 Collector-base breakdown voltage Emitter cut-off current Test conditions hFE(1) * VCE=10V, IC 1mA = 40 hFE(2) * VCE=10V, IC=10mA 100 hFE(3) * V= CE=10V, IC 50mA 45 hFE(4) * VCE = =10V, IC 100mA 40 0.1 μA 0.1 μA 300 = VCE(sat)1* IC=1mA, IB 0.1mA 0.4 V = VCE(sat)2* IC=10mA, IB 1mA 0.5 V VCE(sat)3* = IC=50mA, IB 5mA 0.75 V = IC=10mA, IB 1mA VBE(sat)* 0.75 V Collector output capacitance Cob VCB=20V, IE=0, f=1MHz 7 pF Emitter input capacitance Cib VEB=0.5V, IC=0, f=1MHz 130 pF *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. REV.08 1 of 3 PDF
Документация на MMBTA44 

Дата модификации: 24.09.2021

Размер: 1.36 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2SC4081-R (YJ)