2SC4548

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SC4548 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES z Small Flat Package z High Breakdown Voltage z Excellent hFE Linearity 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ MMBTA44 50-200 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBTA44 SOT-23 50-200 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MPSA44 (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт — — — — —
A+ PZTA44 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — — — —
A+ PZTA44 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ A44 (JSCJ)
 
— 150 шт
 
 — — — — —
A+ A44 B100-200 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ TSC4505CX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 1 шт
 
 — — — — —
A+ TSC873CW RPG (TSC)
 
— 10 шт — — — — — NPN Silicon Planar Medium Power Transistor
A+ TSC966CW RPG (TSC)
 
SOT-223 — — — — — NPN Silicon Planar Medium Power Transistor
A+ FMMT458 (SHIKUES)
 

FMMT458 (DIODES) 		SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBTA44 (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
A+ LMBTA44LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
A+ MMBTA44G-AE3-R (UTC)
 
—
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SC4548 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES z Small Flat Package z High Breakdown Voltage z Excellent hFE Linearity 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 500 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 250 ℃/W -55~+150 ℃ RθJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10µA,IE=0 400 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 400 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10µA,IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=300V,IE=0 0.1 µA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V,IC=0 0.1 µA DC current gain hFE VCE=10V, IC=50mA 60 200 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=50mA,IB=5mA 0.6 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=50mA,IB=5mA 1 V fT VCE=30V,IC=10mA 70 MHz VCB=30V, IE=0, f=1MHz 4 pF Transition frequency Collector output capacitance Cob CLASSIFICATION OF hFE RANK D E RANGE 60–120 100–200 MARKING www.jscj-elec.com CN 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2SC4548 

Microsoft Word - 2SC4548 SOT-89-3L_A_.doc

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 547.2 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)