CJPF04N80

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETS CJPF04N80 N-Channel Power MOSFET RDS(onTYP V(BR)DSS 800V ID 4A 2.1Ω@10V GENERAL DESCRIPTION This is a N-channel mode power MOSFET using advanced technology to provide planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance, and superior switching perfo...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BL4N90-P (CN BELL)
 
 
N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220, 900 V, 4 A, 2,6 Ohm Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
A+ CJPF08N90M1 (JSCJ)
 
TO-220F-B
 
±

Файлы 1

показать свернуть
Документация на CJPF04N80 

Microsoft Word - CJPF04N80 TO-220F A-1.doc

Дата модификации: 13.11.2020

Размер: 1.12 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.