BL4N90-P
BL4N90
Power MOSFET
1.
.Description
BL4N90, the silicon N-channel Enhanced
MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET
technology which reduce the conduction loss,
improve switching performance and enhance the
avalanche energy. The transistor is suitable
device for SMPS, high speed switching and
general purpose applications.
KEY CHARACTERISTICS
Parameter
Value
Unit
V DS@Tj.max
900
V
ID
4
A
R DS(...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: BL4N90
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220, 900 V, 4 A, 2,6 Ohm | |
Ёмкость затвора | ||
Особенности: Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | CJPF08N90M1 (JSCJ) | TO-220F-B | ± | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.