CJPF03N80

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETS CJPF03N80 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS 800V RDS(on)TYP ID 3.2Ω@10V 3A GENERAL DESCRIPTION The CJPF03N80 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. TO-220F 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 1 2 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJB110SN10

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BL4N90-P (CN BELL)
 
—
 
 N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220, 900 V, 4 A, 2,6 Ohm Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
A+ CJPF04N80 (JSCJ)
 
TO220F
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETS CJPF03N80 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS 800V RDS(on)TYP ID 3.2Ω@10V 3A GENERAL DESCRIPTION The CJPF03N80 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. TO-220F 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 1 2 3 FEATURE z z z z z Excellent package for good heat dissipation Ultra low gate charge Low reverse transfer capacitance Fast switching capability Avalanche energy specified APPLICATION z Power switching application MARKING EQUIVALENT CIRCUIT PF03N80= Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XXXX=Code Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 800 Gate-Source Voltage VGS ±30 Continuous Drain Current ID 3 Pulsed Drain Current IDM 10 Single Pulsed Avalanche Energy (note1) EAS 170 mJ Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA 62.5 ℃/W Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature Range TSTG -55 ~+150 TL 260 Maximum lead temperature for soldering purposes , 1/8”from case for 5 seconds www.jscj-elec.com 1 V A ℃ Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJPF03N80 

Microsoft Word - CJPF03N80 TO-220F A-1.doc

Дата модификации: 03.11.2020

Размер: 1.13 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)