CJP12N65

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP12N65 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 650V 0.7Ω@10V 12A TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time....
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB17C80HJ (YJ)
 
12 шт
 
A+ CJPF12N65 (JSCJ)
 
TO220F
 
±
A+ WMO16N65C2 (WAYON)
 
TO252
 
A+ WMN16N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3
A+ WML16N70C2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
A+ WMK26N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK20N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK16N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMJ26N65C2 (WAYON)
 
TO-247-3
A+ WMP14N65C2 (WAYON)
 
TO251
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на CJP12N65 

Microsoft Word - CJP12N65 TO-220F A.doc

Дата модификации: 03.11.2020

Размер: 970.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.